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Taiyo Holdings推出次世代半導(dǎo)體封裝材料FPIM (TM) Series 成功於12吋晶圓上首次實現(xiàn)CD 1.6微米三層RDL結(jié)構(gòu)

2025-11-17 11:29

- 論文發(fā)表於14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ 2025) -

東京2025年11月17日 /美通社/ -- 總部位於東京的Taiyo Holdings Co., Ltd.(證券代碼:4626;以下簡稱「Taiyo Holdings」)於2025年11月13日在14th IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ2025)上發(fā)表與全球頂尖半導(dǎo)體研究機構(gòu)imec共同撰寫的論文,重點介紹了作為次世代半導(dǎo)體封裝材料開發(fā)的、用於大馬士革工藝的細間距RDL (*1)負型光敏絕緣材料「FPIM (TM) Series」(以下簡稱「該材料」)。

RDL是實現(xiàn)先進半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)中高效電氣連接的重要技術(shù),目前主要採用半加成工藝(SAP) (*2)製造。imec指出,隨著佈線細微化需求發(fā)展,未來要形成線間距1.6微米及以下的互連結(jié)構(gòu),大馬士革工藝(*3)將成為必要技術(shù)。為此,Taiyo Holdings持續(xù)開發(fā)專用於大馬士革工藝的次世代細間距RDL材料,並自2022年10月起與imec展開共同研究。本研究運用該材料在12吋晶圓上成功形成三層RDL結(jié)構(gòu),經(jīng)評估各層佈線間距均達成目標(biāo)規(guī)格:晶圓上RDL1層CD (*4)達1.6微米、通孔層CD為2.0微米(通孔中心間距為CD 4.0微米)、RDL2層CD為1.6微米。這些數(shù)值極接近本研究採用的低NA stepper (*5)的解析極限。此外,針對CD 1.6微米的RDL1層進行電氣特性評估,其漏電電流與阻抗表現(xiàn)均屬良好。透過與imec的共同研究,確認該材料具備優(yōu)異電氣特性、高解析度,以及適應(yīng)CMP工藝(*6)的品質(zhì)要求。

未來,公司目標(biāo)是實現(xiàn)在CD 500納米或更小的晶圓上構(gòu)建RDL,並持續(xù)驗證電氣特性之長期性能與可靠性。Taiyo Holdings將持續(xù)開發(fā)有助推動半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域進步的材料,包括進一步提升AI半導(dǎo)體性能。此外,該材料已於2025年開始提供R&D用小批量樣品。

註:
(*1)RDL(重佈線層)為形成於半導(dǎo)體晶片表面、用以重新分佈電氣佈線的層狀結(jié)構(gòu)。
(*2)先於整體表面形成薄籽晶層,再透過電鍍於佈線區(qū)域形成佈線圖形之法。
(*3)於絕緣膜形成佈線溝槽,透過濺鍍、CVD、電鍍等方式填充溝槽並形成圖形之法。
(*4)CD(關(guān)鍵尺寸)指微細圖形的尺寸規(guī)格。
(*5)Veeco Low NA (0.16) i-line曝光系統(tǒng)AP300(第一代)。
(*6)CMP(化學(xué)機械平坦化)工藝是半導(dǎo)體製造中透過化學(xué)與機械作用使晶圓表面平坦化的製程。

共同發(fā)表論文標(biāo)題
Development of 1.6 micrometer Fine-Pitch RDL Damascene Process using Low-NA i-Line Stepper and a New Negative-tone Photosensitive Dielectric Material(使用Low-NA i-Line Stepper和新的負型光敏介電材料開發(fā)1.6微米細間距RDL大馬士革工藝)

評估樣品結(jié)構(gòu):
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI1fl_9Rzhabg4.png

產(chǎn)品圖片:
https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108899/202511108806/_prw_PI2fl_yb3oqDfr.png

關(guān)於imec與Taiyo Holdings的合作
總部位於比利時的imec,全稱為「Interuniversity Microelectronics Centre」,是全球最大的半導(dǎo)體研究機構(gòu)之一,透過與全球大學(xué)及企業(yè)合作推動開放創(chuàng)新,促進前沿半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展。2022年10月,imec與Taiyo Holdings開始就大馬士革工藝用細間距RDL負型光敏絕緣材料(一種次世代半導(dǎo)體封裝材料)展開共同研究。自2024年11月起,Taiyo Holdings派駐研究員至imec,建立更緊密合作環(huán)境,持續(xù)進行先進半導(dǎo)體材料之日常研發(fā)工作。

- Taiyo Holdings Co., Ltd.公司概況:
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202511108806-O1-ttbIvpYv.pdf

官方網(wǎng)站:https://www.taiyo-hd.co.jp/en/index.html

消息來源: Taiyo Holdings Co. Ltd.

相關(guān)股票: Tokyo:4626

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