VisIC Technologies宣布完成由全球半導體領導者領投的2,600萬美元B輪融資，Hyundai Motor Company和Kia（統(tǒng)稱“HKMC”）作為戰(zhàn)略投資者參投

以色列內斯齊奧納2025年12月11日 /美通社/ -- 電動汽車氮化鎵（GaN）功率半導體先鋒VisIC Technologies Ltd.今日宣布其B輪融資第二次交割順利完成，共募集2,600萬美元。 本輪由一家全球半導體領導者領投，HKMC作為戰(zhàn)略投資者加入。 這一里程碑鞏固了VisIC在電動汽車牽引逆變器GaN創(chuàng)新領域的前沿地位，并進一步強化了其推動新一代電動出行的角色。

領投方對關鍵半導體技術的持續(xù)投入，與VisIC專有的D³GaN?平臺高度契合，旨在為汽車傳動系統(tǒng)提供無與倫比的效率、可擴展性與可靠性。 HKMC參投彰顯其將GaN技術導入量產(chǎn)電動汽車平臺的決心。

全球電動汽車市場正快速增長，車企競相提升續(xù)航里程、降低成本并滿足更嚴格的可持續(xù)目標。 當前瓶頸在于功率電子器件——尤其是牽引逆變器——的效率與可擴展性，其直接影響整車性能與能耗。

問題陳述
傳統(tǒng)硅基方案難以滿足新一代電動汽車平臺對效率與功率密度的要求，特別是在更高電壓場景下。 盡管SiC（碳化硅）器件性能更優(yōu)，但其高昂成本與復雜制造工藝限制了大規(guī)模應用。 VisIC的D³GaN?氮化鎵技術通過支持更小型、更輕量、更高效率的逆變器，解決了現(xiàn)有技術的限制，同時為400V和800V架構帶來全新可能。

資金用途
新資金將加速VisIC路線圖，包括：

• 優(yōu)化、認證與發(fā)布第三代750V GaN芯片與功率模塊。
• 開發(fā)第四代1350V GaN技術，以支持全譜系電動汽車設計。
• 穩(wěn)定供應鏈并擴大GaN產(chǎn)品對電動汽車牽引逆變器的交付規(guī)模。
• 借助同一先進GaN平臺拓展新興800V數(shù)據(jù)中心供電需求。

高管語錄
VisIC Technologies首席執(zhí)行官Tamara Baksht：
“此次投資對VisIC及全球電動汽車行業(yè)具有重要的里程碑意義。 我們的D³GaN技術正在重新定義電動汽車功率電子技術，戰(zhàn)略伙伴的支持將讓我們加速交付高效率、可擴展的下一代出行解決方案?！?/i>